此前有報(bào)道稱，三星 明年的Galaxy S25系列可能搭載Exynos 2500，而2026年的Galaxy S系列將轉(zhuǎn)向"夢(mèng)想芯片"。現(xiàn)在，又有新的報(bào)道稱，搭載 Exynos 2500 的 Galaxy S25 系列的性能可能超過高通驍龍 8 Gen 4 機(jī)型。

三星在 Galaxy S22 系列中使用了自主研發(fā)的 Exynos 2200 處理器。然而，過熱和性能遲緩等問題導(dǎo)致評(píng)價(jià)不高，這讓三星的產(chǎn)品策略發(fā)生了明顯轉(zhuǎn)變，隨后幾年所有Galaxy S系列都將采用高通驍龍SoC。

但回到今年，韓國、印度和中東等地區(qū)的 Galaxy S24 和 Galaxy S24+ 機(jī)型也采用了 Exynos 2400 處理器。不過，高端 Galaxy S24 Ultra 采用的是高通驍龍 8 Gen 3 處理器。

不過，整個(gè) Galaxy S24 系列都配備了 Galaxy AI 功能，不僅高通處理器，Exynos 處理器也能很好地處理這些功能。這讓人們對(duì) Exynos 處理器的品質(zhì)充滿信心。值得注意的是，驍龍 8 Gen 3 處理器在性能上依然領(lǐng)先，但高性價(jià)比的 Exynos 也有接近的競爭力。

三星是全球首家量產(chǎn)3nm Gate All Around（GAA）工藝的公司，也是首家在半導(dǎo)體芯片中采用該技術(shù)的公司。本月早些時(shí)候，有報(bào)道稱三星正與全球電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）公司 Synopsys 聯(lián)手大規(guī)模生產(chǎn) 3 納米芯片。

現(xiàn)在，根據(jù)BusinessKorea 的最新報(bào)道，三星計(jì)劃量產(chǎn)采用 3nm GAA 技術(shù)的 Exynos 2500用于明年的 Galaxy S25 系列。業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為，采用 3nm 工藝生產(chǎn)的 Exynos 2500 采用了 GAA 技術(shù)，有助于限制能量泄漏和增加驅(qū)動(dòng)電流，幫助其超越高通驍龍 8 Gen 4 處理器，尤其是在能效方面。

由于三星擁有GAA 技術(shù)并將生產(chǎn) Exynos 處理器，而驍龍芯片組則由臺(tái)灣臺(tái)積電生產(chǎn)，因此 Exynos 工藝將憑借有利的 GAA 技術(shù)比競爭對(duì)手更具優(yōu)勢。有報(bào)道稱，臺(tái)積電將采用第二代 3 納米工藝和 FinFET 晶體管生產(chǎn)高通驍龍 8 Gen 4 處理器。

不過，我們現(xiàn)在還不能下結(jié)論，因?yàn)閷?shí)際結(jié)果將取決于 Exynos 和驍龍?zhí)幚砥髟?Galaxy 設(shè)備上的優(yōu)化使用情況。